Silicon wafer là gì

Wafer là 1 trong những miếng silicon mỏng dính chừng 30 mil (0.76 mm) được cắt ra từ tkhô hanh silibé hình trụ. Thiết bị này được áp dụng cùng với tứ bí quyết là vật tư nền để cấp dưỡng vi mạch tích phù hợp (fan ta “cấy” lên phía trên kia đông đảo vật tư khác nhau để tạo nên phần nhiều vi mạch cùng với mọi công dụng không giống nhau. Vật liệu này thường là các hợp kim như: GaSb, GaAs, GaP… ). Đa số, những vi mạch hiện nay đa số được sản xuất bằng cách cấy wafer không giống nhau để tạo thành phần nhiều vi mạch với rất nhiều công dụng không giống nhau, dựa vào vào môi trường áp dụng của vi mạch nhưng gạn lọc những wafer phù hợp.

Bạn đang xem: Silicon wafer là gì


*

Các wafer tất cả form size mức độ vừa phải trường đoản cú 25,4milimet (1 inch) – 200mm (7.9 inch). Với sự cải cách và phát triển của ngành công nghệ vi mạch bây giờ, những nhà sản xuất vi mạch khét tiếng trên thế giới nlỗi Hãng sản xuất Intel, TSMC tuyệt Samsung vẫn nâng size của wafer lên 300milimet (12 inch), thậm chí là lên 450milimet (18 inch). Việc kích thước wafer được tăng lên đang làm cho Ngân sách chi tiêu của một vi mạch trsinh sống nên siêu rẻ. vì vậy, trong quy trình sản xuất, giả dụ cung ứng được wafer càng mập thì ngân sách thêm vào đã bớt (vị tiết kiệm ngân sách và chi phí được vật liệu sản xuất).Quy trình chế tạo WaferSản xuất wafer là 1 trong những quá trình khôn cùng khó khăn cùng yên cầu không ít kỹ năng. Đa số những doanh nghiệp cung ứng bây giờ đầy đủ thực hiện chung một các bước.
*

1. Chuẩn bị tnóng wafer
Đây là bước tinch chế (xử trí hóa học)mèo (SiO2) thành Silic nguyên ổn hóa học (99.9999%). Silic sẽ tinc lọc được nung chảy với trở nên thỏi hình tròn trụ.Silic nguyên ổn hóa học sẽ tiến hành trộn thêm tạp hóa học là các nguyên ổn tố team 3 hoặc đội 5. ví dụ như trộn B sẽ được wafer một số loại p, trộn P đang ra wafer một số loại n.Những thỏi silic đósẽ tiến hành cắt thành những tnóng tròn 2 lần bán kính 200mm(8 inch)hoặc 300mm(12 inch)cùng với bề dày cỡ 750um và được đánh bóng cho tới Khi bọn chúng có bề mặt hoàn hảo và tuyệt vời nhất, nhẵn nhẵn nlỗi gương. Có những công ty siêng cấp dưỡng silibé wafer. Chẳng hạn Shin"Etsu là công ty hỗ trợ khoảng chừng 40% silicon wafer mang đến Thị trường bán dẫn nước Nhật. Giá một tnóng wafer 200milimet khoảng chừng đôi mươi USD.
*

*

*
Chíp trần, sau khoản thời gian giảm rời ra khỏi tnóng silicon, được xếp vào trong những ktốt và kế tiếp được hàn bên trên các khung chế tạo sẵn Điện thoại tư vấn là Lead frame, xem 1b làm việc hình phía trên (với hình ảnh bên là Leadframe của Alcatel Microelectronics) nhưng thông qua kia bạn có thể tháo đính thêm chíp trên những mạch năng lượng điện tử một phương pháp thuận tiện. Tại công đoạn này từng nhà cung ứng sẽ chắt lọc cho bạn hồ hết dây truyền technology tương xứng với công suất tiếp tế cũng giống như năng lực kinh tế. Trừ các công ty sản xuất Khủng, phần nhiều các chủ thể bé dại cùng vừa hay chọn lọc những thứ hàn die nhân công (manual) hoặc phân phối tự động. Ở quy trình này, chíp trần được gắp bởi bút chân ko hoặc kẹp chân ko (ảnh). Kỹ thuật này có thể chấp nhận được duy trì chíp một bí quyết chắc chắn đồng thời ko làm tổn sợ cho bề mặt chíp.

Xem thêm: Thế Nào Là Đoạn Văn Là Gì Khác Nhau? Khái Niệm Về Đoạn Văn Là Gì


*
Ở một trong những vật dụng (nlỗi của hãngWESTBOND), kỹ sư sản xuất sản phẩm tích hợp thêm 1 động cơ vào đầu gắp chân không, cho phép đặt chíp vào đúng vị trí của leadframe bằng cách chỉnh méo bên dưới kính hiển vi quang học hoặc CCD camera. Hai nghệ thuật thường xuyên được thực hiện để gắn thêm die lên ở trên leadframe chính là kỹ thuật eutectic cùng kỹ thuật sử dụng keo dán giấy dính.
Kỹ thuật hàn cần sử dụng băng keo dính
- sống kỹ thuật này người ta hay sử dụng các phù hợp hóa học gồm đặc thù kết dính xuất sắc nhỏng polyimide, epoxy hoặc keo dán bạc làm vật tư hàn lúc đính chíp lên leadframe. Sau Lúc xác minh được địa chỉ tương hợp thân die cùng thông số kỹ thuật trên leadframe, die sẽ tiến hành bán ra ngoài cây viết chân ko, nén lên ở trên bề mặt của epoxy và quá trình hàn chấm dứt.
Kỹ thuật hàn eutectic, thường xuyên được vận dụng vào gói gọn kín, sử dụng hợp kim cùng tinh để gắp die lên ở trên leadframe. Kỹ thuật hàn tiên tiến và phát triển này dựa trên vấn đề áp dụng vật tư hàn tạo nên kim loại tổng hợp thuộc tinh ở 1 điều nhiệt độ quan trọng đặc biệt nào đó, và điểm nóng tan của hợp kim hay rẻ hơn lúc nó ngơi nghỉ dạng kim loại cá biệt. Hợp klặng Au-Si, Au-Sn hoặc Pd-Si hay được sử dụng rộng thoải mái trong nghệ thuật này. Để thêm được die lên leadframe trước tiên người ta che một tờ kim cương với độ dầy phù hợp lên trên bề mặt leadframe hoặc die).
Trong quy trình hàn, ánh nắng mặt trời cao đang làm khuếch tán những phân tử silic từ mặt phẳng die lên lớp rubi của leadframe, tạo ra thuộc tinc Au-Si (ví dụ, kim loại tổng hợp Au-Si cùng với 2.85% Au có tâm điểm chày làm việc 3630C). Lúc hàn fan ta đang nâng ánh sáng cao hơn nữa Tm một chút ít, thường là cỡ 10°C đối với nhiệt độ eutectic dẫn tới sự liên khuếch tán giữa hóa học rắn với hóa học lỏng sống mặt phẳng phân cách. Hợp kyên ổn eutectic sau đó hoá rắn với được gia công rét. Hợp phần, điểm thuộc tinch của một một số trong những hợp kim được liệt kê trong bảng sau đây.